欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。
据FAMES项目的协调员Dominique Noguet介绍，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片有望在2027年面世。这一制程节点将借助193nm ArFi DUV光刻机，并采用SADP自对准双重曝光技术来实现。这一技术的运用，将有望推动FD-SOI工艺在更先进的制程节点上取得突破。
FAMES中试线不仅将提供用于先进FD-SOI节点的性能评估PDK（工艺设计套件），还将提供用于测试设计的MPW多项目晶圆用PDK。这将为芯片设计者提供更为便捷和高效的测试环境，有助于加速新技术的研发和应用。
除了逻辑制程外，FAMES中试线还十分关注配套的片上嵌入式NVM非易失性存储技术的发展。据悉，FAMES牵头方法国CEA-Leti研究所已经在OxRAM（氧化物基阻变存储器）方面取得了显著进展，并正在积极关注FRAM/FeFET（铁电存储器）和MRAM（磁性存储器）等新型存储技术的发展。
此次FAMES项目的公开征集计划，标志着欧洲在FD-SOI工艺领域的研发和应用迈出了重要一步。随着技术的不断进步和应用领域的不断拓展，FD-SOI工艺有望在更多领域展现出其独特的优势和潜力。
FAMES中试线的建设也将为欧洲半导体产业的发展注入新的活力。通过提供先进的工艺设计套件和测试环境，FAMES中试线将有助于吸引更多的芯片设计企业和研究机构参与到FD-SOI工艺的研发和应用中来，共同推动欧洲半导体产业的繁荣和发展。
