三星14nm DRAM遇阻，HBM3E内存或调整设计？

据韩媒ZDNET Korea近日报道，三星电子的HBM3E产品面临供货延迟问题，主要原因在于其基础的14nm级DRAM技术存在瓶颈。该内存产品的认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。

报道指出，三星的36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。

相较于SK海力士与美光，这两家公司的HBM内存产品基于1b DRAM技术，而三星的HBM3E则依赖于14nm级（即1a nm）DRAM，这在工艺上构成了一定的劣势。

三星在其12nm级（1b nm）DRAM的初步设计中并未考虑HBM的应用，这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。

三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战，还遭遇了工艺问题。三星在内存生产中积极引入EUV技术，以期提高竞争力并降低成本。然而，1a DRAM的EUV层数多达5层，超过SK海力士的同期产品，但工艺稳定性不足，未能实现预期的成本降低。

同时，三星1a DRAM的设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士，后者更早获得了英特尔的产品认证。

有消息透露，三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的部分电路进行重新设计，但这一决策面临诸多风险。新设计至少需要6个月才能完成，并需等到明年第二季度才能进行批量生产，这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。