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英飞凌新突破:20μm超薄硅功率晶圆,基板电阻减半!

2024-10-29来源:ITBEAR编辑:瑞雪

英飞凌近日在硅功率晶圆技术领域取得了重大突破,成功研发出史上最薄的硅功率晶圆。这一创新成果不仅提升了技术性能,还为未来功率转换技术的发展奠定了基础。

新研发的晶圆直径为30mm,厚度仅为20μm,相当于传统晶圆厚度的一半,极大地降低了基板电阻和功率损耗。

超薄晶圆技术的应用,特别是在高端AI服务器领域,对于实现高效功率转换具有重要意义。它促进了垂直功率传输设计的发展,提高了整体效率。

英飞凌的这一技术已获得市场认可,并已成功应用于其集成智能功率级产品中,交付给了首批客户。

据悉,英飞凌将在2024年慕尼黑国际电子元器件博览会上公开展示这款超薄硅晶圆。

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