【智快网】1月26日消息，韩国政府近日作出重大决策，将高带宽存储器技术(HBM)确立为国家战略技术，以推动人工智能芯片产业的蓬勃发展。
为实现此战略目标，韩国政府对现有税法进行了相应调整，将享受研发投资税收优惠的国家战略技术范围进一步扩大。具体而言，针对中小企业，其研发投资在国家战略技术领域可享受的税收减免幅度高达40%至50%;而中型和大型企业也可获得30%至40%的税收减免。这一举措旨在激励更多企业投身于国家战略技术的研发与创新。
据智快网了解，随着半导体市场的逐渐复苏，韩国的主要半导体厂商，如三星电子和SK海力士等，已经在高带宽存储器技术领域取得了显著进展。为了顺应市场需求和技术趋势，这些企业正不断加大在该领域的研发投入。
三星电子计划于2024年开始量产基于CXL技术的DRAM产品。CXL作为一种新型的互连接技术，能够有效提升芯片间的连接性能和带宽。此外，三星电子在2023年12月已经提交了多个与CXL产品相关的商标注册申请，这充分表明了该公司对于这一技术的重视和布局。
与此同时，SK海力士也不甘落后，计划于2024年上半年推出新一代HBM产品。HBM技术凭借其高数据传输速度和带宽优势，在人工智能和数据中心等领域具有广泛的应用前景。目前，SK海力士在该领域已经建立了领先的技术地位，并与全球AI芯片巨头英伟达等建立了紧密的合作关系。
展望未来，全球HBM市场规模有望在2024年实现翻倍增长，这为韩国半导体产业带来了新的发展机遇。在此背景下，韩国政府和企业将继续加强合作与创新，共同推动高带宽存储器技术的持续进步与发展。
