近期，韩国媒体SEDaily发布了一则关于三星电子的最新研发进展。据悉，三星在其内部研发机构已经成功完成了4XX层第10代3D V-NAND闪存的开发工作。这一技术的研发成果，标志着三星在闪存技术领域又迈出了重要的一步。
据了解，这款新开发的4XX层第10代3D V-NAND闪存，采用了先进的晶圆键合技术，其存储密度高达28 Gb/mm²，同时I/O引脚速率也达到了5.6Gb/s。三星电子计划在2025年的IEEE ISSCC国际固态电路会议上，正式向外界介绍这一创新产品。据透露，该产品的具体型号为1Tb TLC NAND。
对于这一新技术的量产进度，三星电子也在积极推进。据悉，从上个月开始，三星已经将该技术转移至位于平泽的1号工厂量产线上。然而，量产并非易事，特别是在开发阶段的良率仅为10%~20%的情况下，要达到量产的门槛——60%的良率，还需要付出更多的努力。
韩媒SEDaily分析认为，三星的第10代V-NAND闪存将采用三堆栈结构，这有望进一步提升其性能和稳定性。尽管在量产前还面临诸多挑战，但三星电子正全力以赴，在量产线上不断提升第10代V-NAND的良率。如果一切顺利，三星有望在2025年下半年获得PRA量产就绪许可，并最快在明年二季度末进入量产阶段。
三星电子在NAND闪存领域的领先地位已经得到了业界的广泛认可。根据TrendForce集邦咨询的数据，三星电子在2024年三季度继续蝉联全球第一大NAND闪存原厂。为了进一步巩固这一领先地位，三星不仅在研发上不断投入，还在积极扩充先进产能。
据透露，三星计划明年在平泽P4工厂新增每月3~4万片晶圆的V9 NAND产能。同时，位于中国西安的工厂也在推进制程升级工作，这将有助于提升三星的闪存产能和竞争力。可以预见，在未来的NAND闪存市场中，三星电子将继续保持其领先地位，为行业带来更多的创新和突破。
