NAND闪存领域的领军企业铠侠KIOXIA，在近期举行的公司战略会议上，公布了其面向人工智能（AI）时代的长期发展蓝图。该战略聚焦于满足AI应用对存储速度及性能的极致需求，其中一项关键举措是开发一款专为AI设计的固态硬盘（SSD）。
这款创新的SSD将融合XL-FLASH高性能SLC NAND闪存与全新设计的SSD控制器，旨在提供前所未有的随机读取性能，达到惊人的10M IOPS，这一数字是当前市场上企业级TLC PCIe 5.0 SSD（约3000+K IOPS）的三倍之多。铠侠预计，该产品的样品将在2024年下半年面世。
在存储技术层级中，位于DRAM与普通NAND闪存之间的SCM（存储级内存）领域，铠侠亦有所布局。公司计划在2026年下半年推出支持CXL协议的XL-FLASH存储产品，进一步拓展其在高端存储市场的版图。同时，铠侠正与南亚科技合作，共同研发基于4F2架构的氧化物半导体（IGZO）通道晶体管DRAM内存，即OCTRAM，该技术有望大幅降低漏电流并提升能效。
在NAND闪存技术方面，铠侠同样展示了其未来的发展路线图。下一代BiCS 10技术将实现332层堆叠，最大容量可达2Tb，接口速率将飙升至4800MT/s。不仅如此，该技术还将带来读取延迟的减少、写入功耗的降低以及比特密度的提升，为数据存储领域带来革命性的变化。
通过这些前瞻性的技术研发与市场布局，铠侠正稳步迈向AI时代的存储前沿，致力于为用户提供更高效、更可靠的存储解决方案。
