SK海力士近日宣布，其基于第六代10纳米级（1c）工艺的LPDDR5X低功耗DRAM已正式量产，并成功推出192GB容量的SOCAMM2内存模块。这款产品专为下一代AI服务器设计，通过优化厚度与可扩展性，成为应对高密度计算场景的理想解决方案。
与传统寄存双列直插式内存模块（RDIMM）相比，SOCAMM2采用压缩式连接器设计，在提升信号完整性的同时简化了维护流程。该产品带宽较RDIMM提升超过200%，功耗降低幅度达75%以上，显著优化了AI训练与推理过程中的能效表现。其核心优势在于突破了千亿参数级大模型运算时的存储瓶颈，为系统整体性能提升提供关键支撑。
技术层面，SOCAMM2通过1c工艺实现高性能AI运算的深度优化。该内存模块特别针对英伟达Vera Rubin平台开发，可满足下一代服务器对低延迟、高带宽的严苛要求。SK海力士透露，产品已建立稳定的量产体系，能够快速响应全球云服务供应商的规模化需求。
随着AI应用从模型训练向推理阶段转型，低功耗运行成为存储解决方案的核心诉求。SK海力士强调，SOCAMM2通过架构创新与工艺升级，在保持高性能的同时实现能耗控制，为数据中心规模化部署AI服务提供关键基础设施支持。该产品的量产标志着存储技术向更高效、更智能的方向迈出重要一步。
