面对台积电与三星在1.4纳米级芯片技术领域的激烈竞争，英特尔正加速推进其制程工艺升级计划。据行业消息，这家芯片巨头将在现有14A工艺基础上推出改良版14A2（即14A Gen2），通过技术创新应对先进制程带来的技术挑战。
供电架构革新成为14A2工艺的核心突破点。英特尔计划在保留背部供电技术PowerDirect的基础上，首次引入前后双侧供电方案。这项技术将供电网络转移至晶圆背面，同时维持部分前部供电结构，以解决互连尺寸缩小导致的信号传输难题。此前应用于14A工艺的PowerDirect技术，已通过将供电层移至晶圆背面显著提升了能效表现。
在金属互连层优化方面，英特尔制定了极具挑战性的技术路线。作为半节点升级的关键指标，14A2工艺将把最低金属互连层M0的间距从14A工艺的28纳米压缩至21纳米。这一改进不仅可使晶体管密度提升25%以上，更能充分发挥High-NA EUV光刻设备的经济性优势，降低单颗芯片的制造成本。
根据公开的研发时间表，英特尔将于2026年10月向合作伙伴提供14A工艺0.9版本设计套件，目标在18个月内获得大型无晶圆厂客户的订单。风险试产计划于2028年启动，量产节点设定在2029年。这一进度与竞争对手形成微妙对峙：台积电A14晶圆厂预计2027年底试产，三星则将1.4纳米工艺量产时间定在2029年，三大芯片制造商将在该技术节点展开直接竞争。
行业分析师指出，英特尔通过半节点升级策略缩短研发周期，这种"小步快跑"的模式既能保持技术迭代速度，又能有效控制研发成本。特别是在供电架构和金属互连层的双重创新，显示出其在先进制程领域的技术积累。随着2029年量产节点的临近，全球半导体产业格局或将因1.4纳米工艺的竞争产生新的变数。
