在近期于日本东京盛大举行的2025年IEEE VLSI研讨会上，一家全球领先的存储技术企业揭开了其DRAM技术未来三十年的宏伟蓝图与创新战略。
该企业的首席技术官在会上发表演讲，详细阐述了面对当前DRAM性能与容量提升的技术瓶颈，公司正积极谋划将前沿的4F² VG平台与3D DRAM技术深度融合，应用于10纳米及以下制程的内存产品开发中。这一举措标志着公司在追求更高集成度、更快运行速度及更低能耗的道路上迈出了重要一步。
4F² VG技术通过革新性地将传统DRAM的平面栅极结构转变为垂直排列，显著降低了每个数据存储单元所占用的芯片面积，从而在提升存储密度的同时，确保了产品性能的提升。尤为该技术还将借鉴NAND闪存中的混合键合工艺，为DRAM产品的创新设计开辟了新的路径。
针对业界普遍担忧的3D DRAM层数增加可能带来的成本上升问题，该企业技术负责人表示，公司正致力于通过持续的技术革新与突破，逐步解决这一难题。他强调，技术创新是推动DRAM产业持续发展的关键动力，也是克服成本挑战、实现产品升级的重要途径。
在演讲中，这位技术负责人还分享了公司在结构设计、材料选择以及元件配置等方面的深入探索与革新成果。他表示，这些创新举措将为DRAM产品的未来发展奠定坚实基础，并推动整个存储行业迈向新的高度。
