日本先进半导体制造商Rapidus近日披露了其尖端制程研发的最新进展。公司首席技术官石丸一成在接受《日经XTECH》专访时透露，通过优化技术路线，Rapidus计划将1nm制程节点与台积电的差距从行业普遍预期的两年以上缩短至半年左右。这一目标建立在2nm工艺快速迭代的基础上，显示出该企业试图在先进制程领域实现弯道超车的野心。
回顾2nm制程的研发历程，石丸一成坦言初期遭遇重大挑战。2025年7月启动的GAA晶体管试制项目中，由于工艺设备调试与材料供应链准备不足，首批样品性能未达预期。但通过持续技术攻关，该团队在去年第四季度实现突破性进展，晶体管密度与能效比显著提升。目前Rapidus已制定明确时间表：2026年底开始为客户定制2nm测试芯片，2027年正式进入量产阶段。
在制程节点衔接方面，Rapidus采取"跨代开发"策略。公司计划于2026年全面启动1.4nm制程研发，该节点将作为2nm向1nm过渡的关键技术平台。通过与IBM持续深化合作，Rapidus将整合双方在纳米片晶体管结构、高K金属栅极等领域的专利技术。值得注意的是，其研发团队中超过半数工程师常驻纽约州奥尔巴尼纳米技术中心，这种跨国协作模式为技术突破提供了重要支撑。
根据规划，1.4nm制程将于2029年实现量产，届时Rapidus将同步推进1nm制程的预研工作。石丸一成特别强调，通过采用新型材料体系与极紫外光刻（EUV）的深度优化，新一代制程有望在晶体管微缩与功耗控制方面取得突破。不过他也承认，要实现既定目标仍需克服设备交付延迟、良率提升等现实挑战。
