三星电子近日宣布成功研制出全球首款面向设备端人工智能（On-Device AI）优化的通用闪存存储（UFS）5.0系列产品。该产品基于第九代V-NAND（V9）闪存技术构建，严格遵循JEDEC最新嵌入式存储接口标准，旨在应对端侧AI场景对数据处理速度和响应效率的严苛要求。
性能指标实现突破性提升是UFS 5.0的核心亮点。其顺序读取速度最高可达10.8GB/s，写入速度达9.5GB/s，相较前代UFS 4.1标准实现翻倍增长。这种性能跃升将显著缩短大型AI模型的加载时间，使运行大语言模型（LLM）时的延迟降低50%以上，设备响应速度获得质的飞跃。在移动设备处理复杂AI任务时，用户可直观感受到操作流畅度的提升。
能效优化方面，新产品通过引入时钟门控技术和多电压管理方案，在相同数据传输量下功耗降低超40%。这项改进对依赖电池供电的移动设备意义重大，可有效延长智能手机、XR头显等设备的续航时间。测试数据显示，持续运行AI推理任务时，设备发热量较前代产品减少30%，系统稳定性显著增强。
结构设计上，UFS 5.0采用7.5mm×13mm×0.9mm的超紧凑封装，体积较前代缩小16.7%。这种微型化设计为设备制造商提供了更大的内部空间布局自由度，特别有利于可穿戴设备和扩展现实（XR）设备的轻薄化发展。三星同步推出从128GB到1TB的多容量版本，满足不同层级产品的存储需求。
三星存储器事业部产品规划团队负责人指出，在设备端AI普及浪潮中，存储器件已成为决定用户体验的关键组件。UFS 5.0的推出恰逢其时，其高速率、低功耗特性与AI计算需求高度契合，将为智能手机、XR设备等终端产品注入新的竞争力。
量产计划显示，三星将于今年第四季度启动UFS 5.0的规模化生产，首批供货聚焦旗舰智能手机、XR头显及AI可穿戴设备市场。根据市场研究机构TrendForce数据，三星在2026年第一季度以31.6%的市占率领跑NAND闪存市场，此次技术领先有望进一步强化其行业主导地位。业内分析认为，UFS 5.0的商用将推动端侧AI应用进入新的发展阶段。
