全球功率半导体领域迎来重要合作动态。德国英飞凌科技与日本罗姆半导体近日正式签署合作备忘录，双方将围绕碳化硅（SiC）功率器件封装技术建立深度合作机制。这一举措被视为行业应对供应链挑战、提升客户灵活性的重要突破。
图：英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）与罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）出席签约仪式
根据协议内容，两家企业将互为对方特定SiC功率器件封装的第二供应商。这意味着未来客户可在英飞凌与罗姆的对应产品间实现无缝切换，显著降低供应链风险。具体技术合作方面，罗姆将采用英飞凌开发的2.3毫米标准高度SiC顶部散热封装平台，而英飞凌则计划导入罗姆的半桥结构"DOT-247"模块并开发兼容封装方案。
此次合作不仅限于现有技术。双方明确表示，未来将逐步扩大合作范围，把硅基（Si）功率器件以及氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的封装技术纳入合作框架。这种跨材料、跨结构的全面合作模式，在功率半导体行业尚属首次。
行业分析指出，随着新能源汽车、光伏储能等领域的快速发展，功率器件市场需求持续攀升。英飞凌与罗姆通过建立互为备份的供应链体系，既能保障客户供应稳定性，又能通过技术共享加速产品迭代。特别是SiC材料在高压、高频场景中的优势日益凸显，两家企业的技术协同或将推动整个产业链的成本优化与效率提升。
