日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在纳米压印光刻（NIL）技术领域取得重大突破，成功开发出线宽仅10纳米的NIL图案化模板。这一成果将支持1.4纳米级逻辑半导体及NAND闪存芯片的制造，为半导体产业向更小制程节点迈进提供了关键技术支撑。
作为NIL技术领域的先行者，DNP在该领域已深耕超过二十年。此次推出的新一代模板产品融合了光掩模制造与晶圆加工两大环节的工艺经验，采用自对准双重图案化（SADP）技术实现"套刻"工艺。通过在初始图案上叠加薄膜沉积与蚀刻工序，该方案可使线条密度提升至原有水平的两倍，从而在相同面积内集成更多电路元件。
据DNP披露，其NIL技术方案在能耗方面具有显著优势，仅为传统光刻机曝光工艺的十分之一。这一特性在半导体制造追求低碳转型的背景下显得尤为重要。目前该公司正与多家半导体制造商开展深度技术对接，计划于2027年启动该技术的规模化量产。行业观察人士指出，NIL技术的成熟或将改变高端半导体制造领域的竞争格局，特别是在3纳米以下制程节点的工艺选择上提供新路径。
