在第三代半导体与微显示技术的融合创新赛道上，我国科研团队近日攻克了一项关键技术瓶颈，成功实现异质异构三维集成技术的重大突破。这一成果以苏州汉骅半导体有限公司为技术载体，通过自主研发的8寸硅基氮化镓LED外延工艺与无损去硅技术，构建起与主流CMOS工艺深度兼容的Micro-LED量产平台，为AR/VR/MR等近眼显示设备的规模化应用扫清了核心障碍。
作为第三代半导体的核心材料，氮化镓（GaN）在Micro-LED微显示技术中扮演着"发光引擎"的角色。然而，如何将氮化镓发光单元与硅基CMOS驱动电路实现高效集成，一直是制约行业发展的技术鸿沟。传统方案因材料体系差异导致三维异构集成困难，直接影响了近眼显示产品的像素密度、能耗表现及量产可行性。此次技术突破通过创新性的工艺路径，首次打通了不同材料体系间的三维集成通道，标志着我国在Micro-LED产业化领域取得里程碑式进展。
该量产平台以"超越摩尔GaN Plus"技术体系为核心，构建了从氮化镓外延生长、无损去硅、薄膜集成到CMOS工艺适配的全链条制造能力。通过自主研发的晶圆级无损去硅技术，团队成功实现8寸硅片上氮化镓薄膜的完整剥离与亚微米级精准转移，进而完成发光阵列与驱动芯片的晶圆级键合协同制造。所有工艺参数均严格对标8寸CMOS产线标准，确保了与现有半导体制造基础设施的无缝衔接。
技术突破带来的产业价值正在逐步显现。平台现已具备红、蓝、绿全波段发光结构制备能力，可支撑开发像素密度超万PPI的微显示器件。这种高集成度方案不仅适用于近眼显示设备，还能拓展至光通信、数字车灯、AI算力设备电源管理等新兴领域。据技术团队介绍，通过三维集成技术实现的器件体积较传统方案缩小60%以上，能耗降低45%，为消费电子产品的形态创新提供了关键技术支撑。
