产能和质量可以说是一家芯片企业的生命线，然而世界第一大车用功率半导体器件厂商英飞凌却捅了大篓子，因为严重缺陷，多达两个月（4月初到6月初生产）的IGBT芯片全部报废。
所谓IGBT，英飞凌解释为硅基的绝缘栅双极晶体管芯片，是构造电力电子设备的基本单元。
据悉，这批芯片原本计划发货给韩国现代集团，用于后者的首款纯电SUV产品IonIQ 5(艾尼氪5)，现在现代不得不紧急从意法半导体等厂商采购备用器件，这或将延长艾尼氪5的交付周期。现代经销商称，艾尼氪5的到货时间居然需要12个月之久。
那么英飞凌到底是哪里出问题了呢?
据说是在向电池中注入铝离子而不是氮离子的过程中产生的，英飞凌在改进现有氮离子注入工艺，转用最新铝离子工艺。
现代IONIQ5是基于现代E-GMP纯电平台打造，提供58kWh、72.6kWh两种电池容量版本车型，最低配为两驱168马力，标称续航220英里(325公里)，北美定价3.97万美元，长续航版本配225马力电机，续航303英里(487公里)。
