近期，三星电子在半导体领域的最新动向引发了业界的广泛关注。据悉，该公司已悄然启动了一项雄心勃勃的计划——研发1.0纳米晶圆代工工艺，旨在通过这一前沿技术，在未来与竞争对手的较量中占据上风。
三星电子的半导体研究所已正式组建了一个专项团队，专注于1.0纳米工艺的研发。该团队汇集了众多曾参与2纳米等先进制程研发的核心技术人员，他们的目标是在技术层面实现新的突破。根据三星目前披露的信息，其原本规划的晶圆代工工艺路线图中，最先进的技术节点是计划于2027年量产的1.4纳米工艺。
然而，三星并未止步于此，而是将目光投向了更为先进的1纳米工艺。业内人士透露，1纳米工艺的研发将是一次巨大的挑战，需要突破现有的技术框架，引入诸如高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备等全新的生产技术和设备。预计这一工艺的量产时间可能会在2029年之后。
尽管三星在3纳米工艺上已经取得了量产的成果，并计划在今年内推出2纳米工艺，但业内人士指出，与主要竞争对手相比，三星在这些领域仍存在一定的技术差距。特别是在2纳米工艺方面，竞争对手的良品率已经达到了较高的水平，而三星则仍在努力追赶。因此，三星对1纳米工艺寄予了厚望，希望通过这一工艺的研发，实现技术上的反超。
值得注意的是，三星会长李在镕近期在一次高管会议上强调了技术创新的重要性，并表示公司将致力于以“前所未有的技术”引领未来。这一表态无疑为三星在半导体领域的研发工作注入了新的动力。事实上，三星在2纳米SF2工艺方面已经取得了初步的成果，据韩媒报道，基于该工艺的Exynos 2600芯片试产良品率已经达到了30%，这一表现超出了预期。
随着半导体行业的竞争日益激烈，三星电子正通过不断加大研发投入和技术创新，努力在先进制程领域取得更多的突破。未来，随着1.0纳米晶圆代工工艺的研发进展，三星有望在全球半导体市场中占据更为重要的位置。
