在科技界的一次重量级对话中，美国国家发明家科学院院士及世界科学院院士卢志远，分享了他在半导体存储领域的深度见解与卓越贡献。卢志远，同时担任旺宏电子总经理、科技总监以及欣铨科技股份有限公司董事长，他的科研生涯如同一部探索与创新的史诗。
卢志远院士的科研成就尤为突出，他荣获了2025年未来科学大奖——数学与计算机科学奖，以表彰其在非易失性半导体存储领域的杰出贡献。他的发明不仅将闪存技术的寿命从原先的1万次擦写提升至1亿次以上，更推动了存储技术的革命性进步。
在对话中，卢志远详细阐述了闪存、硬盘与内存之间的根本差异。他解释道，硬盘基于电磁原理运作，内存则是晶体管与电容器的结合，而闪存则通过特殊材料的晶体管，利用电子的有无来实现数据存储。这一过程虽然较慢，但因其独特的擦除机制——一次擦除一个区块，使得闪存成为了一种高效的存储介质。
谈及闪存技术的关键突破，卢志远强调了“自我修复”机制的重要性。他利用量子隧穿效应进行写入与擦除操作，并通过加热使被撞歪的原子重新排列，恢复原状，从而延长了闪存的使用寿命。这一创新技术被学术界誉为“永不损坏的闪存”，其背后的核心在于对材料细节的深刻理解和物理机制的精准掌握。
卢志远的科研之路始于物理学，他对半导体材料的浓厚兴趣引领他踏入了这一领域。在贝尔实验室的工作经历，让他深刻认识到基础研究与应用转化之间的紧密联系。1989年，他主持的“次微米计划”成功突破了集成电路行业的极限挑战，将器件工艺推进至纳米级别，为半导体产业的发展奠定了坚实基础。
对于基础科学人才的培养，卢志远给予了高度评价。他认为，中国在过去二三十年间对教育和科研的巨大投入，已经培养出了一大批视野开阔、正值黄金阶段的优秀科研人才。在基础研究和产业应用方面，中国都已展现出了强劲的竞争力。
卢志远还展望了半导体领域的未来趋势。他指出，AI的快速发展对算力提出了更高要求，这推动了存算合一、3D堆叠等新方向的探索。同时，他也强调了材料与结构根本性创新的重要性，认为这是推动半导体技术持续进步的关键。
在对话中，卢志远还分享了自己的科研心得。他认为，科研人员应具备主动探索的习惯，不要急于寻找答案，而是要敢于提出问题。这种科研素养的培养，对于年轻科研人员来说至关重要。
卢志远的科研生涯和成就，不仅彰显了他在半导体存储领域的卓越贡献，更为全球科技界树立了榜样。他的创新精神和对科学的执着追求，将激励着更多科研人员投身于科技创新的浪潮中。
