日本大日本印刷（DNP）近日宣布，在纳米压印光刻（NIL）技术领域取得重大突破，成功研发出线宽仅10纳米的NIL图案化模板。这一成果将直接推动1.4纳米级逻辑芯片及NAND闪存芯片的制造进程，为半导体行业提供更高效的解决方案。
DNP在NIL技术领域深耕超过二十年，其最新一代模板融合了光掩模制造与晶圆加工两大核心工艺的专业知识。通过采用自对准双重图案化（SADP）的“套刻”技术，该方案在初始图案基础上叠加薄膜沉积与蚀刻工艺，使线条密度实现翻倍增长。这种创新方法有效突破了传统光刻技术的物理极限，为更高精度芯片制造开辟了新路径。
相较于传统光刻机的曝光工艺，DNP的NIL技术能耗显著降低，仅为前者的十分之一。这一优势在半导体制造环节具有重要战略意义，既能减少碳排放，又能降低生产成本。目前，DNP正与多家半导体制造商展开深度技术对接，计划于2027年启动规模化量产，首批产品将优先应用于先进逻辑芯片和存储芯片领域。
行业分析指出，随着摩尔定律逼近物理极限，NIL技术因其低成本、高精度的特性，正成为下一代半导体制造的关键候选方案。DNP此次突破不仅巩固了其在纳米压印领域的领先地位，更为全球半导体产业链提供了新的技术选项，尤其在先进制程芯片制造环节具有潜在颠覆性影响。
