在存储芯片领域，三星与SK海力士此前双双推迟了第十代NAND的量产计划，而铠侠却在这一赛道上率先给出了量产时间表，引发行业关注。
铠侠宣布，已将第十代BiCS10 3D NAND闪存的量产列为2026财年的首要战略重点，量产时间定在2026年5月至2027年3月这个区间内。这一举措显示出铠侠在高层NAND闪存技术上的积极布局和坚定决心。
从技术规格来看，BiCS10采用了332层存储单元堆叠架构。与现款的BiCS8的218层相比，堆叠层数增加了约52%，位密度提升更是高达59%。这意味着在相同体积下，BiCS10能够存储更多的数据，为数据存储带来更高的效率。
在接口标准方面，BiCS10配合Toggle DDR 6.0接口标准，I/O传输速率从上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，增幅约33%。同时，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。在标准TLC模式下，它还可实现单颗2Tb的存储容量，在性能和功耗方面都取得了显著进步。
这款芯片沿用了CMOS直接键合阵列（CBA）架构。该架构将逻辑电路和存储阵列分别在不同晶圆上制造，之后再进行键合。这种设计方式无需借助更复杂的PLC架构，就能实现密度与可靠性的平衡，为芯片的性能稳定提供了有力保障。
在生产布局上，铠侠将BiCS10的量产任务交给了日本岩手县北上市的K2新工厂。该工厂配备了专为高层NAND闪存设计的设备，在资本支出上相较于新建工厂大幅压缩，这有助于铠侠在保证生产的同时，控制成本。
不过，铠侠目前尚未正式收到大规模确认订单，相关投资轮廓预计到2026年下半年才会逐步明朗。量产时间表与实际出货量之间的差距，成为铠侠计划中最大的不确定因素，后续发展仍有待观察。
