新竹2026年4月23日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）今日于 2026 年台积电北美技术研讨会宣布，其 eUSB2V2 接口 IP 已于台积电（TSMC）N2P 工艺完成流片（Tapeout）。M31 表示，该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入，并将强化 2 纳米世代的设计，支援客户于高整合 SoC 中导入高速、低功耗的连结接口。
M31携手台积电完成 eUSB2V2 在 N2P 工艺流片，强化先进工艺设计 IP 生态系统
随着先进节点演进，SoC 朝更高计算密度与更严苛能效（Energy Efficiency）目标迈进，I/O 接口除了需满足高速传输与相容性，必须在更低工作电压与更紧缩的功耗预算下，维持稳健的讯号品质与可制造性。M31 本次完成流片的 eUSB2V2，是针对 TSMC N2P 平台特性进行设计、电路与布局（Layout）层级的协同优化，以提升整体效能与功耗效率，并兼顾面积使用效率与系统整合弹性。
技术重点方面， 在与既有 USB 2.0 生态系統相容的前提下，支援 1.2V/0.9V 低电压操作，通过强化类比前端设计，包含导入可编程传输去加重（De-emphasis）与接收端 CTLE/VGA 等化技术，显著提升在先进工艺下传输通道的稳健性与设计弹性。在性能表现上，eUSB2V2 最高可支援 4.8 Gbps(HS10) 传输速率，并通过全新的等时传输突发机制 (Isochronous Burst) 提高同时传输的效率。eUSB2V2支援非对称频宽的 HSUx/HSDx 模式，预期在标准操作模式下达成 50mW 的极佳功耗表现。搭配N2P 工艺，尤其适合 AI、HPC 与移动设备等追求高效能与低功耗平衡的应用。
针对此次在 N2P 平台的成果，M31 总经理张原熏指出："2 纳米接口 IP 需贴合工艺平台，方能提升设计效率，并加速上市时程"，他进一步分享："M31 此次完成eUSB2V2 IP 于 TSMC N2P 工艺的流片，正是以平台导向为核心，协助客户更有效率地导入关键接口、缩短从设计推进到量产准备的时间，并强化 2 纳米节点的整体竞争力。"
M31 强调，本次能达成流片的里程碑，来自与 TSMC 在先进工艺 IP 开发的密切合作，包括依循平台设计方法学、针对工艺与 I/O 条件进行电路与布局层级的调校，并配合平台设计参考流程。在 TSMC 先进节点上验证的 IP，有助于提高M31与 TSMC 之共同客户提升接口整合、系统验证和产品进度计划的效率。
展望未来，M31 规划将本次 2 纳米 eUSB2V2 IP 的开发经验延伸更多 TSMC 的先进工艺，并持续支援AI、边缘运算与智能终端等成长动能，同时提升IP 平台之长期价值。
