联发科宣布首款3nm工艺天玑芯片成功流片

【智快网】9月7日消息，联发科(MediaTek)近日宣布，首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片已成功流片，开发进展顺利。预计这款全新5G SoC将于2024年下半年上市，为联发科迄今最强的5G芯片。

台积电的3nm工艺备受瞩目，因其卓越的性能、功耗和良率而广受赞誉。相较于5nm工艺，3nm工艺的逻辑密度提高了约60%，在相同功耗下，速度提升了18%，或者在相同速度下，功耗降低了32%。这意味着新的天玑芯片将为用户提供更出色的性能和更持久的电池寿命。

据智快网了解，在今年7月的季度财务会议上，台积电的CEO魏哲家透露，其3nm工艺已经完全通过验证，性能和良品率均达到了预期目标。台积电的3nm工艺第一代是N3B，技术复杂先进，使用了多达25个EUV光刻层和双重曝光，以实现更高的晶体管密度。虽然价格较高，但为高端产品提供了卓越性能。而第二代工艺N3E则减少了EUV光刻层数至19个，去掉了双重曝光，因此更适合主流产品，价格相对较低。

值得一提的是，下周即将发布的iPhone 15系列中，iPhone 15 Pro和Pro Max机型将首次搭载苹果A17处理器，采用了台积电的3nm工艺。这一重大升级引发了广泛关注，用户们对于这款芯片的性能表现充满期待。新一代的天玑芯片以及苹果A17处理器的亮相，预示着未来智能手机市场将会有更多令人兴奋的发展。