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高通与谷歌联手,研发RISC-V Snapdragon Wear芯片,引领可穿戴市场革新

2023-10-18来源:智快科技编辑:瑞雪

【智快网】10月18日消息,高通今日宣布与谷歌展开合作,共同研发基于RISC-V架构的Snapdragon Wear芯片,旨在应用于下一代Wear OS手表。这一合作将为可穿戴设备市场带来新的活力和创新。

RISC-V作为一种全新的CPU架构,不同于传统的x86和Arm架构,以其开放性和独立性而著称。RISC-V International首席执行官Calista Redmond曾明确表示,RISC-V作为全球标准,不受任何单一公司或国家的控制。

根据了解,高通计划将在全球范围内推出基于RISC-V的可穿戴解决方案,而RISC-V Snapdragon Wear芯片将致力于实现定制核心、低功耗以及高性能等智能手表所需的关键特性。

Wear OS by Google总经理Bjorn Kilburn表示:“高通一直是Wear OS生态系统的重要支持者,为众多OEM合作伙伴提供高性能和低功耗的系统。我们非常高兴扩大与高通的合作,并推出基于RISC-V的可穿戴解决方案。”

据悉,高通和谷歌最近启动了RISC-V软件生态系统(RISE),并逐步推动了一系列RISC-V硬件开发项目。作为一种开源指令集架构(ISA),RISC-V鼓励创新,允许任何公司开发完全定制的核心,这为更多公司进入市场提供了机会,推动了行业的创新和竞争。

尽管市面上最新的RISC-V芯片在性能和功能方面仍不及旗舰级Arm架构的处理器,但高通和谷歌的这一智能手表合作宣示,它们坚信RISC-V芯片已经为可穿戴设备做好了准备,同时该架构的开放性也有望更好地控制设备成本,为用户提供更多的选择和性能。

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