杭州镓仁半导体公司昨日宣布了一项重大的技术突破，成功推出了全球首个8英寸氧化镓单晶，这一成就标志着镓仁半导体在国际上率先掌握了8英寸氧化镓单晶的生长技术。
据了解，镓仁半导体在氧化镓单晶的研发上持续深耕，从2022年起，先后成功生长出了2英寸、4英寸和6英寸的氧化镓单晶。此次推出的8英寸单晶，不仅在晶圆面积利用率上有了显著提升，更重要的是，它与现有硅基晶圆厂的8英寸生产线完全兼容，这无疑为氧化镓的产业化应用铺平了道路。
氧化镓，特别是β-Ga2O3，以其4.85eV的宽禁带、出色的热和化学稳定性以及高击穿电场强度，成为了第四代半导体材料中的佼佼者。与碳化硅和氮化镓相比，氧化镓在性能上更具优势。
基于氧化镓的功率器件在性能上实现了质的飞跃，它们能够提供更小的电阻和更高的转换效率，这对于新能源汽车领域来说，意味着平台电压有望被推升至1200V，从而进一步提升新能源汽车的性能和效率。氧化镓材料在紫外波段的透过率表现出色，其260nm的紫外截止边使得它成为制造深紫外波段光电器件的理想材料。
镓仁半导体的这一技术突破，不仅展示了其在半导体材料研发方面的雄厚实力，也为全球半导体产业的发展注入了新的活力。随着氧化镓产业化应用的加速推进，我们有理由相信，未来将有更多基于氧化镓的先进产品问世，为人类社会的进步贡献更多力量。
