SK 海力士近期在AI存储领域取得了重大突破，正式揭晓了其专为人工智能应用设计的超高性能DRAM新品——12层（12Hi）HBM4内存。据悉，该公司已率先向全球主要客户提供了该内存的样品。
此次推出的12Hi HBM4内存，SK 海力士采用了24Gb DRAM芯片，并结合了其先进的MR-MUF（先进批量回流-模制底部填充）键合工艺。这一创新设计使得单个封装的内存容量达到了36GB，数据传输带宽更是高达2TB/s，相较于前代HBM3E，运行速度有了超过60%的显著提升。
SK 海力士方面表示，凭借在HBM市场的深厚技术积累和丰富的生产经验，公司得以提前完成12层HBM4的样品出货，并已着手与主要客户进行产品验证。预计在下半年，SK 海力士将完成该内存的量产准备工作，从而进一步巩固其在AI存储器市场的领先地位。
SK 海力士AI基础设施部门的负责人金柱善社长强调，公司一直致力于满足客户需求，不断突破技术瓶颈，已成为推动AI生态创新的佼佼者。他提到，基于公司在HBM领域的大规模供应经验，未来的性能验证和量产准备工作将顺利进行。
