近日，有网友在闲鱼平台发布了一组图片，展示了高通下一代旗舰芯片——第六代骁龙8至尊Pro版（Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro，型号SM8975）的封装设计细节，引发科技圈关注。该芯片在内存支持、散热架构和封装工艺上均实现突破性升级，被视为高通冲击高端移动处理器市场的又一力作。
据网友透露，SM8975采用三星首创的HPB（散热路径块）技术，通过在芯片封装顶部集成散热片（Heat Slug Sheet），彻底改变了传统设计。此前，DRAM内存通常直接堆叠在SoC上方，导致核心热量积聚难以散发，而HPB技术通过优化散热路径，为芯片核心创造了"呼吸空间"，显著提升热传导效率。行业分析师指出，这一改进或使该芯片在持续高负载运行时稳定保持5.00GHz主频，同时避免触发温度保护机制。
在内存支持方面，SM8975展现出极强的灵活性。封装设计图显示，该芯片同时支持4×24-bit通道的LPDDR6内存和4×16-bit通道的LPDDR5X内存，合作伙伴可根据成本需求自由选择配置。存储接口则升级至双通道UFS 5.0标准，理论带宽较前代提升近一倍。值得注意的是，为兼容不同规格内存，高通特别设计了大小核架构，在提升性能的同时确保功耗可控。
作为对比，同期曝光的SM8950芯片则显得较为保守。该型号仅支持常规LPDDR5内存，且高通在技术文档中对其描述极为简略，甚至QRD8950开发平台仅提供单一SKU配置，采用1S供电方案。这种差异化策略暗示高通正通过技术分层满足不同市场需求，SM8975显然定位于顶级旗舰设备。
封装工艺上，SM8975延续了先进的叠层封装（PoP）技术，将内存颗粒与处理器垂直堆叠，在有限空间内实现高密度集成。行业消息称，该芯片预计将于2025年第一季度量产，首批搭载设备可能包括三星Galaxy S25 Ultra和小米15 Ultra等机型。随着移动计算需求持续增长，散热与功耗控制已成为芯片设计的核心挑战，高通此次的技术突破或将重新定义高端移动处理器的性能标准。
