近日，科技领域迎来一则重磅合作消息，IBM与半导体设备制造商泛林（Lam Research）就亚1nm尖端逻辑制程的开发达成了为期5年的合作协议。此次合作将聚焦于新材料、先进蚀刻/沉积工艺以及High NA EUV光刻的联合开发，有望为半导体行业带来新的突破。
在合作中，双方将充分发挥各自优势。IBM奥尔巴尼园区具备先进的研究能力，而泛林拥有端到端的工艺工具和创新技术。两家企业将携手构建并验证纳米片和纳米堆叠器件以及背面供电的完整工艺流程。这一系列能力的打造，旨在将High NA EUV图案可靠地转移到实际器件层中，实现高良率，为未来逻辑器件的可行量产路径提供支持，同时推动持续的微缩化和性能提升。
IBM半导体总经理Mukesh Khare对这次合作充满期待。他表示，十多年来，泛林一直是IBM的重要合作伙伴，在逻辑微缩和器件架构方面取得了诸多关键突破。例如，纳米片技术以及IBM于2021年发布的全球首款2nm节点芯片，都离不开泛林的贡献。如今，双方扩大合作，共同应对下一阶段的挑战，以实现高数值孔径极紫外光刻技术和1nm以下节点工艺，这无疑将推动半导体技术迈向新的高度。
泛林首席技术与可持续发展官Vahid Vahedi也发表了看法。他认为，随着行业进入3D微缩的新时代，进步的关键在于重新思考如何将材料、工艺和光刻技术整合为一个单一的高密度系统。泛林很荣幸能够与IBM在成功合作的基础上，进一步推动High NA EUV干式光刻胶和工艺的突破，加速开发低功耗、高性能晶体管，这对于当下蓬勃发展的AI时代至关重要。
