据行业分析机构TrendForce集邦咨询最新预测，2026年第二季度存储芯片市场将迎来显著价格波动。其中，通用型DRAM内存合约价格预计环比上涨58%至63%，NAND闪存合约价格涨幅更高，达到70%至75%。需要说明的是，合约价通常滞后于现货市场表现，实际交易中的价格波动可能更为剧烈。
DRAM市场呈现结构性分化特征。服务器领域成为主要增长极，大容量寄存式双列直插内存模块（RDIMM）需求持续走高，推动相关产品成为市场焦点。与此同时，原厂正在调整供应策略，逐步减少面向个人电脑整机厂商和内存模组企业的PC用DRAM出货量。移动端内存需求虽未出现大幅萎缩，但增长动能明显弱于服务器市场。
NAND闪存市场供应紧张局面将延续至2027年末。行业数据显示，新增产能大规模释放需等到2027年底或2028年初，这导致当前供应链持续承压。企业级客户凭借较强的资金实力和价格承受能力，在产能分配中占据优势地位，而消费级产品供给持续收缩。特别值得注意的是，嵌入式多媒体卡（eMMC）和通用闪存存储（UFS）产品线面临最严重的供应缺口，相关产品交付周期显著延长。
