LG电子正全力投入高带宽存储器（HBM）领域关键设备的研发工作。据行业消息，该公司正在开发一款用于HBM的混合键合堆叠设备早期版本，这项技术对提升存储器性能至关重要。
该项目由LG电子生产工程研究所（PRI）主导，于去年6月正式启动。在研发过程中，LG电子获得了多方支持，其中Justem公司负责开发该设备的系统部分。经过数月的努力，项目团队已成功完成内部测试的原型alpha版本，目前正处于概念验证阶段。
混合键合工艺是该设备研发的核心环节。项目团队正使用专门设计的模块和键合头进行密集测试，通过不断优化工艺参数，确保设备性能能够达到预期目标。这种精细化的测试流程对于提升HBM的集成度和性能至关重要。
根据规划，该项目预计将于2029年完成全部研发工作，目标精度设定为200纳米。然而，这一精度指标与当前行业领先水平存在差距。据悉，Besi公司已实现商业化应用的同类设备精度达到100纳米。行业分析人士指出，这种精度差异可能会影响LG电子设备在三年后面世时的市场竞争力。
