在全球芯片技术竞争的浪潮中，中国在光刻机及先进芯片领域的自主研发之路正引发广泛关注。外媒分析全球光刻机专利数据时发现，中国早在2018年便已启动EUV光刻机相关专利申请，这一时间点远早于西方预期。当时，中国芯片产业正全力推进14纳米工艺的量产，而一家企业采购EUV光刻机受阻的经历，成为加速技术自主化的重要转折点。这一事件让行业意识到，先进设备供应可能面临西方长期封锁，自主研发成为突破瓶颈的必由之路。
经过七年持续投入，中国在EUV光刻机领域已取得阶段性成果。多家企业陆续提交大量专利申请，双工作台、激光对准等核心技术实现突破。然而，EUV光刻机的研发难度堪称“工业皇冠上的明珠”：其零件数量是DUV光刻机的4.5倍，达到45万个，需全球5000家企业协同生产。即便主导企业ASML，也仅能完成15%的零部件制造。这种高度依赖全球产业链的特性，意味着中国仍需攻克大量关键技术环节，量产时间表仍存在不确定性。
在EUV技术攻坚的同时，中国芯片产业另辟蹊径，通过优化现有DUV光刻机工艺实现技术跃升。目前，中国已成为全球第二个掌握DUV光刻机7纳米工艺的国家，仅落后于台积电。行业推测，5纳米工艺的研发也在推进中。浸润式光刻技术先驱林本坚分析称，DUV设备理论上存在突破5纳米的可能，但成本将呈指数级上升，经济性面临严峻挑战。这种“两条腿走路”的策略，既为技术迭代争取时间，也暴露出传统硅基芯片的物理极限。
真正令西方战略界警觉的，是中国在量子芯片、光子芯片等前沿领域的布局。这些技术路线完全脱离传统硅基框架，全球尚无成熟产业链可参考，中国与美国成为仅有的两个实现技术突破的国家。由于不存在既有技术标准，两国均需从基础材料到制造工艺全链条自主创新。这种“白手起家”的研发模式，反而使中国避免了被“卡脖子”的风险。量子芯片在加密通信、人工智能计算等领域的潜力，光子芯片在高速数据传输、低功耗应用的优势，正重塑全球芯片产业竞争格局。
对比中美研发态势，差异愈发明显。美国芯片巨头英特尔近期被曝试图通过台积电获取2纳米技术，折射出其技术创新的乏力。而在量子与光子芯片领域，中国已形成完整的技术研发体系，从实验室到中试线的转化速度令西方观察家难以评估实际进展。这种“未雨绸缪”的战略定力，与美国在先进制程上的技术停滞形成鲜明对比，预示着全球芯片产业权力格局可能迎来深刻调整。
