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三星HBM4芯片英伟达测试表现亮眼,有望明年开启量产交付提振营收

2025-12-25来源:快讯编辑:瑞雪

半导体行业近日传来新动态,三星电子在下一代高带宽内存HBM4的竞争中取得关键进展。据业内人士透露,三星为英伟达明年即将发布的新一代人工智能加速器提供的HBM4样品,在系统级封装(SiP)测试中表现优异,运行速度与功耗效率两项核心指标均领先于其他内存厂商。

英伟达团队上周专程前往三星电子,重点核验HBM4的SiP测试进展。这项测试被视为产品量产前的最后一道关卡,其技术难点在于将图形处理器、存储芯片、中介层及电源管理芯片等多个组件集成至单一封装内。三星此次测试成绩不仅验证了其技术实力,更引发市场对其供货能力的强烈期待——有消息称,英伟达对三星HBM4的采购需求远超预期,可能为三星带来显著营收增长。

供应链消息显示,三星平泽P4生产线已进入扩产冲刺阶段,预计明年第一季度可完成供货协议签署,第二季度启动全面量产。尽管三星方面对测试细节保持沉默,但内部研发团队普遍认为,公司在HBM4领域已建立技术优势,这与HBM3E研发时期被竞争对手压制的局面形成鲜明对比。

不过,存储行业另一巨头SK海力士同样动作迅速。该公司已于9月底完成HBM4量产准备,向英伟达交付付费样品并进入试产阶段,较三星提前约三个月。但值得关注的是,此次两家企业的技术差距已从HBM3E时期的近一年大幅缩短至三个月,显示行业竞争格局正在发生变化。

系统级封装技术的突破成为关键变量。以HBM4为例,其通过三维堆叠设计将多个芯片垂直整合,在提升数据传输速率的同时降低功耗。这种技术路径对封装精度和散热管理提出极高要求,而三星在SiP测试中的领先表现,为其争取英伟达订单增添了重要筹码。随着量产时间节点临近,市场正密切关注三星能否将技术优势转化为实际供货份额。

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